應用建議
驅動的設計建議
1. RG的位置 —— 在引線較長的情況下，RG放置在IGBT的柵極側比放置在驅動側能降低部分情況下的VGE和VCE的振蕩。
2. RC阻容吸收 —— 在一些情況下，VCE的振蕩會通過反向傳輸電容引起VGE的振蕩，VGE的振蕩又會使VCE振蕩的振幅和振蕩周期增加，這種振蕩屬于正反饋。在柵極-發射極間放置R(3Ω)C(332)吸收，可以有效改善振蕩。
IGBT退飽和檢測的設計建議
1.IGBT的退飽和現象：
2. 在負載短路或橋臂直通時，集電極電流瞬間增大，且集電極電壓會迅速上升，這種現象稱作退飽和，也定義為二類短路。二類短路標準定義是指負載短路或橋臂突然直通（一只IGBT失效）時，導致正在工作IGBT的VCE電壓迅速上升至母線電壓產生極高的dv/dt使柵極電壓激升導致發生二類短路。但實際上即使在感性負載下集電極電流連續上升至一個臨界值時IGBT也會退飽和，VCE也會顯著變大（?10V）。一般情況下，在退飽和短路狀態，IGBT可以承受10?不損毀。
3. IGBT在應用裝置中輕載或空載情況下，開通瞬間VCE會發生振蕩。雖然退飽和檢測回路有一個快恢復二極管做電壓隔離，但是二極管具有反向恢復特性，振蕩電壓較高時，在二極管反向恢復時間內，這個尖峰電壓傳遞給驅動芯片導致頻繁的保護動作。
4. 基于以上，在設計退飽和檢測時，不必要將比較電壓設計過低，并且采用適當阻值的電阻做好驅動芯片退飽和檢測管腳與振蕩電壓的隔離。
5. 建議的退飽和檢測拓撲：
6. C1的取值確保檢測時間應約等于10?；R1起到將DESAT管腳與C1高電位極的電壓瞬時隔離；R2控制由于D1反向恢復時向C1充電的速度，以確保降低誤動作。
IGBT的并聯使用建議
1.IGBT并聯時，需要做好動態均流（使用軟開關技術時可以忽略動態均流）和靜態均流。
2. 靜態均流是指IGBT飽和導通時，并聯管之間的電流差應控制在較小的值，這樣可以保證正向損耗在并聯管之間均衡。
3. 動態均流是指IGBT在開通和關斷時，并聯管之間的電流變化速度差應該控制在較小的值，這樣可以保證開關損耗在并聯管之間均衡。
4. 靜態均流通過篩選VCE(sat)容易實現。
5. 動態均流應在實際負載下比較電流電壓的變化，使之大致一樣。兩者差距較大時，開通速度較早較快的IGBT容易在開通時瞬間過載造成開通損耗嚴重偏大；關斷速度較遲較慢的IGBT容易在關斷時瞬間過載造成關斷損耗嚴重偏大。
6. 調節動態均流的辦法：每只并聯管匹配不同的驅動柵極電阻，使開通關斷的延遲時間一致，電流變化速度基本一致。